顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的<span style='color:red'>SiC MOSFET</span>
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顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

　　中国上海，2026年7月9日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装(TO-247-4L)同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车(xEV)的车载充电器(OBC)和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。　　新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计，确保了6.66mm业界先进水平的爬电距离*1。新产品不仅与市场上广泛普及的封装兼容，同时，还实现了污染等级2级*2环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。　　另外，通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET，还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换时的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。　　新产品已于2026年6月开始量产(样品价格：5500円日元/个，不含税)，且同时开始线上销售。此外，ROHM官网还提供仿真模型，助力客户快速进行电路评估。　　未来，ROHM将通过进一步扩充SiC MOSFET产品阵容，为电子设备实现更高性能、更小体积与更高可靠性提供支持。　　<开发背景>在电动汽车(xEV)中，为了提高充电速度并延长续航里程，除了主驱逆变器外，SiC器件在车载充电器(OBC)和电动压缩机等的功率转换电路中的应用也在不断扩大。另外，在工业设备领域，作为有助于高性能服务器电源和光伏逆变器等设备高效工作的器件，SiC器件的应用也持续增长。传统的SiC器件为了在大功率运行时有效散热，主要采用的是散热性能优异的插装型封装。但是，插装型封装不仅涉及手工安装工序，还存在因封装形状限制而难以实现薄型化的问题。对此，近年来可自动安装的表贴型SiC器件开始普及。新产品采用表贴型封装，却实现了与TO-247等插装型封装同等级别的散热性能。　　<应用示例>车载设备：车载充电器(OBC)、电动压缩机等工业设备：光伏逆变器、服务器电源等<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　<术语解说>　　*1) 爬电距离　　两个导体之间沿绝缘表面测得的最短距离。在半导体设计中，为了防止触电、漏电、半导体产品短路，需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。　　*2) 污染等级2级　　污染等级2级相当于家庭和办公室等常见的环境，即仅存在干燥的非导电污染物的状态。污染等级是确定元器件的电气间隙和爬电距离时会产生影响的环境等级，根据污染物质的有无、数量和状态分为1～4级。
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发布时间：2026-07-10 09:40 阅读量：457 继续阅读>>
森国科发布基于8寸晶圆工艺全球最小裸芯尺寸的800V <span style='color:red'>SiC MOSFET</span>，开启多芯合封新纪元
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森国科发布基于8寸晶圆工艺全球最小裸芯尺寸的800V SiC MOSFET，开启多芯合封新纪元

　　颠覆性尺寸：定义800V SiC MOSFET合封新标准　　在追求极致功率密度的今天，每一平方毫米的芯片面积都至关重要。森国科(SGKS)凭借其在宽禁带半导体领域的深厚积累，正式推出专为先进合封(Co-Packaging)应用设计的SiC MOSFET—KWM3K065P。这款产品以“全球最小裸芯片尺寸”和“800V/3Ω”的卓越性能组合，为AC-DC电源、栅极驱动芯片的多芯片模块(SiP)合封提供了革命性的核心器件，引领高压功率集成迈向新高度。　　全球最小裸芯，源自8寸工艺的领先优势　　KWM3K065P的发布，不仅是尺寸上的突破，更是制造工艺的胜利。它由领先的8寸晶圆工艺打造，实现了性能与集成度的完美平衡。　　• 极致紧凑的裸芯尺寸：KWM3K065P的裸芯尺寸(Die Size)仅为 0.476mm x 0.476mm，创下全球800V电压平台SiC MOSFET的最小纪录。这一突破极大地节省了封装内部的宝贵空间，使得在同一封装内集成AC-DC控制器、栅极驱动芯片以及多个功率器件成为可能，为开发超高功率密度的电源系统提供了坚实基础。　　• 8寸工艺带来的性能一致性：采用8寸晶圆工艺，不仅提升了晶圆的整体良率和生产效率，更重要的是确保了芯片性能的高度一致性和稳定性。这对于多芯片合封应用至关重要，因为它能有效降低因芯片参数差异导致的电流不均问题，简化了并联设计，提高了整个模块的可靠性。　　创新0伏关断，简化驱动设计　　在高压功率应用中，如何确保MOSFET在关断期间的稳定性，避免因噪声干扰导致的误导通，一直是工程师面临的难题。森国科KWM3K065P创新性地提供了 0伏关断(0V Turn-off) 解决方案。　　• 攻克负压关断难题：传统SiC MOSFET器件或部分高压硅基器件通常需要负电压来确保可靠关断，这要求驱动芯片必须具备负压供电能力，增加了系统设计的复杂性和成本。KWM3K065P凭借其优异的芯片设计，实现了仅需0伏即可安全、可靠地关断。　　• 降低驱动门槛：这一特性有效解决了工程师在应用中的痛点，大幅降低了对驱动芯片的要求。设计人员可以选用更通用、更简单的驱动芯片，从而简化外围电路设计，减少系统元件数量，提高整体方案的性价比和可靠性。　　卓越性能，源于SiC本色　　作为一款碳化硅功率器件，KWM3K065P继承了SiC材料的本征优势，相比传统硅基高压器件，性能表现全面领先。　　• 高耐压与低导通损耗的完美平衡：KWM3K065P拥有800V的高阻断电压和低至3Ω的标称导通电阻(RDS(on))。这一组合确保了器件在高压工况下既能安全运行，又能保持极低的导通损耗，显著提升系统效率。　　• 优异的开关特性：器件具备低输入/输出电容和快速的开关速度，其内部集成的体二极管也具有低反向恢复电荷(Qrr)的特点。这些特性共同作用，大幅降低了开关过程中的能量损耗和电压振荡，使得系统可以工作在更高的频率下，进一步推动功率密度的提升。　　广泛应用，驱动未来科技　　凭借其创新的0伏关断特性和为合封而优化的极致尺寸，KWM3K065P特别适用于对体积、效率和集成度有极致要求的应用领域。　　• 高密度快充与适配器：在需要合封高压功率开关器件的快充充电头和电源适配器的ACDC芯片中，KWM3K065P是实现“小体积、大功率”的理想选择，能够帮助工程师设计出性能更强、携带更方便的消费电子产品。　　• 高集成度电源模块：对于需要将控制器、驱动器和功率器件集成在一起的工业电源模块，KWM3K065P的合封友好特性可以极大地简化设计，提高模块的可靠性。　　• LED驱动与电机驱动：在对能效和空间有严格要求的LED照明驱动和微型电机驱动领域，这款芯片同样能发挥其高效、紧凑的优势，助力设备实现更长的寿命和更小的体积。　　结语　　森国科KWM3K065P的推出，不仅是公司在高压SiC芯片领域技术实力的又一次展现，更是对“芯片级系统集成”这一未来趋势的精准把握。从领先的8寸晶圆工艺到全球最小的裸芯尺寸，再到创新的0伏关断技术，每一个细节都体现了森国科以客户需求为中心的创新理念。我们致力于通过不断创新的SiC技术和产品，为全球工程师提供更具价值的解决方案，共同推动电力电子系统向更高效、更紧凑、更智能的方向发展。KWM3K065P现已开放样品申请和量产订购，欢迎各界合作伙伴垂询，携手共创功率电子的崭新篇章。
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发布时间：2026-07-01 09:51 阅读量：544 继续阅读>>
森国科丨重磅推出2200V/1Ω高压<span style='color:red'>SiC MOSFET</span> K3M1K200-R
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森国科丨重磅推出2200V/1Ω高压SiC MOSFET K3M1K200-R

　　在新能源产业蓬勃发展的今天，功率半导体器件正朝着更高电压、更高效率、更高可靠性的方向不断演进。森国科(SGKS)作为宽禁带半导体领域的先行者，正式推出全新高压SiC MOSFET—K3M1K200-R。这款产品以2200V的超高阻断电压和1Ω的低导通电阻为核心亮点，专为严苛的工业级高压应用而生，旨在重新定义高压功率转换的效率与可靠性边界。　　卓越性能，源自芯内核　　K3M1K200-R是森国科在高压SiC技术领域深厚积累的结晶，其性能规格在同类产品中展现出显著优势。　　· 2200V超高压平台：　　K3M1K200-R的额定电压高达2200V，为系统设计提供了充足的安全裕量。这一特性使其能够从容应对工业电网波动、感性负载关断等场景下的电压尖峰，确保系统在极端工况下的稳定运行，有效降低了对复杂缓冲电路的依赖。　　· 0.8Ω低导通电阻：　　在实现2200V超高耐压的同时，其典型导通电阻(RDS(on))低至0.8Ω。低导通电阻意味着更低的导通损耗和更小的温升，直接提升了系统的整体效率和功率密度，尤其适合需要长时间满载运行的工业设备。　　· 增强型N型沟道设计：　　作为一款增强型(Normally-Off)器件，在栅极无驱动信号时处于关断状态，符合工业应用对“失效安全”(Fail-Safe)的严苛要求，极大地简化了驱动电路的设计，提升了系统的本质安全性。　　· 优异的开关特性：　　器件具备低输入/输出电容和快速的开关速度，能够支持高频化应用。其内部集成的体二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)和快恢复特性，有效降低了开关过程中的能量损耗和电压震荡，使系统运行更加平稳、安静。　　先进封装，可靠耐用　　K3M1K200-R采用经典的TO-247封装，这是工业界广泛认可和验证的成熟封装形式，具备以下核心优势。　　· 高可靠性与通用性：　　TO-247封装具有坚固的内部结构和成熟的制造工艺，确保了器件在长期运行中的高可靠性。其引脚定义和外形尺寸符合行业标准，便于客户进行产品替换和产线升级，降低了导入风险。　　· 成熟的散热方案：　　该封装形式与市面上主流的绝缘垫片、散热器和安装方式完美兼容，客户可以沿用现有的成熟散热方案，无需进行额外的结构开发，缩短了产品从设计到量产的周期。　　· 优化的热阻表现：　　K3M1K200-R的结壳热阻(RthJC)低至3.8℃/W，确保了芯片产生的热量能够高效地传导至外部散热器，有效控制了器件的工作温度，延长了使用寿命。　　市场应用，精准定位　　凭借其独特的性能组合，K3M1K200-R精准锁定了一系列对电压和可靠性有极致要求的高压应用场景。　　· 高压开关电源：　　在通信基站、数据中心服务器等领域的高压输入开关电源中，K3M1K200-R的高耐压特性能够轻松应对整流后的高压母线，其低损耗优势则有助于提升电源的转换效率，满足日益严苛的能效标准。　　· 电容与感性负载驱动：　　在驱动高压电容负载或大功率感性负载(如大型电磁阀、高压电机)的应用中，器件需要承受巨大的瞬态电压冲击。K3M1K200-R的2200V额定电压和坚固的芯片设计，使其成为处理这类“硬开关”工况的理想选择。　　· 辅助电源系统：　　在风电变流器、光伏逆变器等大型电力电子设备中，通常需要独立的辅助电源来为控制电路供电。K3M1K200-R可以作为辅助电源的核心开关器件，直接从高压母线上取电，其高可靠性和宽电压适应能力确保了主设备控制系统的稳定运行。　　· 工业电机驱动：　　在中高压工业变频器领域，K3M1K200-R可用于制动单元或有源前端(AFE)电路，其高频开关能力有助于减小滤波元件的体积，提升整个驱动系统的功率密度。　　K3M1K200-R　　结语　　森国科K3M1K200-R高压SiC MOSFET的推出，不仅是森国科在高压功率器件领域技术实力的有力证明，更是对工业与能源市场迫切需求的精准回应。我们致力于通过不断创新的SiC技术，为全球客户提供更高效、更可靠、更具竞争力的功率解决方案。K3M1K200-R现已开放样品申请和量产订购，欢迎各界合作伙伴垂询，共同探索高压功率转换的无限可能。
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发布时间：2026-06-30 10:29 阅读量：467 继续阅读>>
森国科推出TOLT封装<span style='color:red'>SiC MOSFET</span>，引领高效能功率器件新纪元
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森国科推出TOLT封装SiC MOSFET，引领高效能功率器件新纪元

　　新品发布：K2M025065-V，定义性能新标杆　　森国科(SGKS)正式推出采用TOLT先进封装的碳化硅(SiC)功率场效应晶体管K2M025065-V。这款产品将森国科领先的SiC MOSFET芯片技术与优化的封装设计相结合，旨在为高功率密度和高效率的应用场景提供革命性的解决方案。K2M025065-V的发布，标志着森国科在宽禁带半导体领域的技术实力和产品布局迈上了新的台阶。　　01　　森国科SiC MOSFET：卓越性能的核心　　森国科的碳化硅MOSFET芯片以其卓越的物理特性，从根本上解决了传统硅基器件在高压、高频应用中的瓶颈。K2M025065-V继承了这些核心优势，为系统设计带来质的飞跃。　　高耐压与低导通损耗：　　该器件拥有650V的高阻断电压和典型值仅为25mΩ的超低导通电阻(RDS(on))。这意味着在相同的导通电流下，器件的导通损耗极低，能显著提升系统效率，尤其是在大电流工作条件下优势更为明显。　　高频开关与低电容：　　得益于SiC材料的特性，K2M025065-V具备极高的开关速度和低输入/输出电容。这使得它能够工作在远高于传统硅器件的频率下，从而允许使用更小的无源元件(如电感和电容)，极大地提升了系统的功率密度。　　优异的体二极管特性：　　其内部集成的体二极管具有快速恢复和低反向恢复电荷(Qrr)的特点。在需要体二极管进行续流的应用(如逆变器)中，这能大幅降低开关过程中的能量损耗和电压震荡，提高系统可靠性和效率。　　02　　TOLT封装：为高性能而生　　K2M025065-V采用的TOLT封装并非传统封装的简单迭代，而是一次为高性能功率器件量身定制的创新。它在多个维度上对传统封装进行了优化，将SiC MOSFET的性能潜力发挥到极致。　　极致的散热能力：　　TOLT封装采用了优化的内部结构和导热路径，使其结壳热阻(RthJC)低至0.40℃/W。出色的散热性能意味着器件在高功率工作时，热量能被更高效地传导至散热器，从而保持较低的结温，确保器件长期稳定可靠运行，并允许更高的功率输出。　　更低的寄生效应：　　优化的引脚布局和内部互连设计，有效降低了封装的寄生电感。更低的寄生电感对于高频开关应用至关重要，它能减少开关过程中的电压过冲和震荡，降低电磁干扰(EMI)，使系统设计更加简洁、可靠。　　坚固与可靠：　　TOLT封装在设计上考虑了功率器件在严苛环境下的应用需求，具备良好的机械强度和可靠性，能够满足汽车级和工业级应用的严苛要求。　　03　　应用领域：赋能绿色科技　　凭借其卓越的性能组合，K2M025065-V特别适用于对效率和功率密度有极致追求的应用领域。　　太阳能逆变器：　　在光伏系统中，更高的效率意味着更多的电能产出。K2M025065-V的低损耗特性可显著提升逆变器的转换效率，尤其是在最大功率点跟踪(MPPT)电压范围内的效率表现优异，助力绿色能源的高效利用。　　电动汽车电机驱动：　　在电动汽车的主驱逆变器中，K2M025065-V的高频开关能力和低导通损耗，有助于减小电机驱动系统的体积和重量，同时提升车辆的续航里程。其优异的体二极管特性也使其在复杂的电机控制工况下表现稳定。　　高压直流变换器与开关电源：　　在这些应用中，K2M025065-V能够支持更高的开关频率，从而减小磁性元件和电容的体积，实现更高功率密度的电源设计，满足数据中心、通信基站等对空间和效率要求苛刻的场景。　　结语　　森国科K2M025065-V TOLT封装SiC MOSFET的推出，是森国科在功率半导体领域技术实力的集中体现。它将SiC材料的本征优势与先进封装技术完美融合，为工程师提供了一个能够突破现有设计瓶颈的强大工具。我们相信，这款产品的问世将加速碳化硅技术在各个高增长市场的应用普及，共同推动能源转换技术迈向一个更高效、更紧凑、更可靠的新时代。
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发布时间：2026-06-29 10:02 阅读量：456 继续阅读>>
罗姆的<span style='color:red'>SiC MOSFET</span>应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

　　中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。　　随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。　　此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。　　另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。　　下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。　　罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。　　<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能，以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接：　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET使用时的应用优势　　・白皮书：ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案　　・访谈文章：数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
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发布时间：2026-05-28 09:23 阅读量：824 继续阅读>>
ROHM开发出第5代<span style='color:red'>SiC MOSFET</span>，高温下导通电阻可降低约30%！
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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。
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发布时间：2026-04-22 09:07 阅读量：838 继续阅读>>
以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V <span style='color:red'>SiC MOSFET</span>晶圆的破局之道
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以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道

　　在功率半导体领域，碳化硅(SiC)技术以其卓越的电气性能已成为不争的未来趋势。然而，市场普及始终面临一个核心挑战：如何在不牺牲性能的前提下，将成本降至可与成熟硅基产品正面竞争的水平?森国科最新推出的KWM2000065PM(750V/2Ω)与 KWM1000065PM(750V/1Ω)两款SiC MOSFET产品，以其革命性的微型化芯片设计，给出了一个强有力的答案——通过极致缩小的Die Size，实现系统级成本与性能的双重优势，直指高压平面MOSFET与SJ MOSFET的替代市场。　　01技术深潜：微型化Die引发的性能与成本革命　　这两颗晶圆最引人注目的特点，是其极其紧凑的尺寸。KWM2000065PM的芯片面积(不含划片道)仅为0.314 mm²(0.560 * 0.560mm)，而KWM1000065PM也仅为0.372 mm²(0.560 * 0.665mm)。这一尺寸远小于同规格的硅基器件，奠定了其颠覆性优势的基础。　　热性能的先天优势：更稳定，更高效　　与传统硅基MOSFET相比，SiC材料本身拥有高出三倍的热导率。这意味着，在同等体积下，SiC芯片内部的热量能更快速地传导至外壳。结合森国科这两款产品的微型化设计，其热阻(RthJC)具备先天的稳定性优势。　　--热阻稳定性：硅器件在高温下导通电阻(RDS(on))会急剧增大，而SiC的RDS(on)随温度变化率远低于硅。规格书显示，即使在175°C的高结温下，KWM1000065PM的导通电阻典型值仅从25°C时的1.0Ω升至1.6Ω，变化幅度远优于同级硅器件。这带来了更可预测的功耗和更稳定的高温运行表现。　　--高效散热：小尺寸Die允许采用成本更低、体积更小的封装(如DFN5x6, TO-252等)。由于芯片热点与封装外壳的热路径极短，热量能更高效地散发，从而允许器件在更高的功率密度下运行，或减少散热系统的体积与成本。　　电气性能的极致化：支持高频、高可靠性应用　　高开关速度与低损耗：两款产品均具备极低的电容(Ciss/Coss/Crss)，例如KWM2000065PM的Crss典型值低至1.0pF。这直接转化为更快的开关速度、更低的开关损耗(Eon/Eoff)和更小的栅极振荡，为高频开关电源提升效率、缩小无源元件体积奠定了基础。　　--750V耐压的可靠性裕量：相较于传统的600V-650V硅基MOSFET，750V的额定电压提供了更强的抗电压冲击和浪涌能力，在PFC电路、反激式拓扑等应用中，系统可靠性得到显著提升。　　--快速体二极管：内置的体二极管具有快速反向恢复特性(Qrr低)，在桥式电路或硬开关条件下，能有效降低反向恢复损耗，提升整体效率。　　成本结构的颠覆：从“芯片成本”到“系统成本”的胜利　　这才是森国科此次产品的核心破局点。微型化Die的直接优势是：　　单颗芯片成本大幅降低：在同等晶圆上，更小的尺寸意味着可切割的芯片数量呈指数级增长，直接摊薄了单片晶圆的制造成本。　　--封装成本显著下降：小芯片可采用更小、更简单的封装，封装材料(塑封料、引线框)和工艺成本随之降低。　　--系统级成本优化：由于SiC的高频、高效特性，电源系统中的散热器、磁性元件(电感、变压器)和滤波电容都可以做得更小、更轻，从而在整体系统层面实现显著的体积缩减和成本节约。　　02应用蓝图：灵活封装策略覆盖广阔市场　　森国科此次提供晶圆形态的产品，赋予了下游客户极大的设计灵活性，精准瞄准两大应用方向：　　合封(Chip-in-Package)：赋能超紧凑电源　　对于追求极致功率密度的应用，如氮化镓快充充电器、服务器AC/DC电源模块、通信电源模块等，这两颗小尺寸Die可与控制器、驱动IC等合封在一个多芯片模块(MCPM)内。这种“All-in-One”的方案能最大限度地减少寄生参数，提升频率和效率，是实现拇指大小百瓦级快充的理想选择。　　独立封装：替代传统硅基MOSFET　　对于工业电源、光伏逆变器辅助电源、电机驱动、LED照明驱动等需要独立器件的应用，这两颗晶圆可被封装为成本极具竞争力的分立器件。其目标正是直接替代目前市场中广泛使用的750V-800V高压平面MOSFET和超结MOSFET(SJ-MOSFET)，让终端产品在几乎不增加成本的情况下，轻松获得效率提升、体积缩小和可靠性增强的优势。　　03市场展望：开启“硅基成本，碳化硅性能”的新纪元　　森国科KWM2000065PM与KWM1000065PM的推出，具有深远的市场意义。它标志着SiC技术不再仅仅是高端应用的奢侈品，而是可以通过创新的设计与制造工艺，下沉到主流功率市场，成为替代硅基产品的“性价比之选”。　　森国科的这两款微型化750V SiC MOSFET晶圆，是一次精妙的“四两拨千斤”。它们没有盲目追求极致的单一性能参数，而是通过芯片尺寸的微型化革命，巧妙地平衡了性能、可靠性与成本，精准击中了市场普及的痛点。这不仅是两款优秀的产品，更代表了一种清晰的市场战略：让碳化硅的强大性能，以客户乐于接受的成本，渗透到每一个可能的电力电子角落，加速全球电气化的高效与节能进程。对于所有寻求产品升级换代的电源工程师而言，这无疑是一个值得密切关注的技术风向标。
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发布时间：2026-01-26 17:43 阅读量：1345 继续阅读>>
森国科发布创新TOLL+Cu-Clip封装<span style='color:red'>SiC MOSFET</span>，重新定义功率密度与散热新标准
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森国科发布创新TOLL+Cu-Clip封装SiC MOSFET，重新定义功率密度与散热新标准

　　在追求更高效率、更高功率密度的电力电子领域，碳化硅(SiC)功率器件的性能优势已得到广泛认可。然而，传统的封装技术正成为限制其潜能全面释放的关键瓶颈。森国科(SGKS)近日创新性地推出KM025065K1(650V/25mΩ)与 KM040120K1(1200V/40mΩ)两款SiC MOSFET产品，率先将TOLL封装与铜夹片(Cu-Clip)技术深度融合，为下一代高性能电源方案树立了新标杆。　　01 技术基石：为何选择TOLL封装?　　TOLL(TO-Leaded，L-type)封装是一种专为大电流、高散热需求设计的表面贴装(SMD)封装。其外形与标准的TO-LL规范兼容，具备以下核心优势：　　低外形与高功率密度：　　TOLL封装的高度通常极低(如规格书中标注的典型值为2.30mm)，非常适合在空间受限的应用中实现高功率密度布局。　　出色的散热能力：　　封装底部具有大面积的可焊接散热焊盘，为芯片到PCB(或散热器)提供了极低的热阻路径。规格书中KM025065K1的结壳热阻(RθJC)低至0.46°C/W，KM040120K1更是达到0.42°C/W，为高效散热奠定了基础。　　低寄生电感：　　多个开尔文源极引脚和功率引脚的优化布局，有助于减小开关回路中的寄生电感，这对于发挥SiC高频开关优势、抑制电压过冲和振铃至关重要。　　02 性能跃迁：Cu-Clip技术如何赋能TOLL封装?　　森国科的创新之处在于，在TOLL封装内部，用铜夹片(Cu-Clip) 替代了传统的铝键合线(Bonding Wires)。　　彻底告别键合线瓶颈：　　传统键合线存在寄生电感较大、载流能力有限、热机械可靠性等问题。Cu-Clip通过一块扁平的铜片直接连接芯片源极和引线框架，实现了面接触。　　实现“三位一体”的性能提升：　　超低导通电阻：　　铜的导电性远优于铝，Clip结构提供了更广阔的电流通道，显著降低了封装内部的导通电阻。　　极致散热性能：　　铜片成为高效的导热桥梁，将芯片产生的热量快速、均匀地传导至整个引线框架和封装外壳，这正是实现超低RθJC的关键。　　更高的可靠性与电流能力：　　消除了键合线可能因热疲劳而脱落的风险，载流能力大幅提升，规格书中KM025065K1的连续漏极电流在Tc=25°C时高达91A。　　03 强强联合：TOLL+Cu-Clip与SiC晶圆的完美协同　　当优化的TOLL封装、先进的Cu-Clip互联技术与高性能SiC晶圆相结合，产生了“1+1+1>3”的协同效应：　　充分发挥SiC高频特性：　　低寄生电感的封装允许SiC芯片以更快的速度开关(如KM025065K1的上升时间tr=28ns)，从而显著降低开关损耗，提升系统频率和效率。　　最大化功率密度：　　优异的散热能力使得器件能在更高结温(Tj=175°C)下持续输出大电流，允许使用更小的散热器，最终实现系统体积和重量的大幅缩减。　　提升系统鲁棒性：　　KM040120K1规格书中特别提到“带有单独驱动源引脚的优化封装”，这有助于进一步改善开关性能，减少栅极振荡，使系统运行更稳定可靠。　　04 应用场景：为高效能源未来而生　　这款创新封装的SiC MOSFET非常适合对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的应用：　　光伏/储能逆变器：　　高开关频率可减小无源元件体积，高效率直接提升发电收益。　　电动汽车车载电源(OBC/DCDC)与电机驱动：　　高功率密度和卓越散热是满足紧凑空间和高温环境要求的关键。　　服务器电源/通信电源：　　助力打造效率超过80 Plus钛金标准的高密度电源模块。　　工业电机驱动与不间断电源(UPS)：　　高可靠性和高频特性满足工业环境的严苛需求。　　森国科KM025065K1与KM040120K1的推出，不仅是两款新产品的面世，更是一次针对功率封装瓶颈的精准突破。它证明了通过封装-互联-芯片的协同设计与创新，能够充分释放第三代半导体的巨大潜力。这为设计工程师在面对未来能源挑战时，提供了一把兼具高性能、高可靠性与高功率密度的利器，必将加速光伏、电动汽车、数据中心等关键领域的技术革新。
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发布时间：2026-01-26 17:39 阅读量：1601 继续阅读>>
森国科<span style='color:red'>SiC MOSFET</span>产品矩阵再扩容：三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip封装新品引领高功率密度革命
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森国科SiC MOSFET产品矩阵再扩容：三款PDFN8 * 8 + Cu-Clip封装新品引领高功率密度革命

　　在小体积、高功率密度、高效散热成为行业刚需的今天，　　森国科通过创新的封装技术给出了自己的解决方案。　　继成功推出PDFN8 * 8+Cu-Clip封装的SiC二极管后，森国科正式发布三款同封装类型的SiC MOSFET产品——KM025065P1、KM040120P1和KM065065P1，形成了完整的650V-1200V电压覆盖，为高功率密度应用提供了更为丰富的选择。　　这一系列新品基于森国科自主研发的第三代平面栅SiC MOSFET芯片技术，通过创新的铜夹片封装技术和优化的内部结构设计，在保持高性能的同时显著提升了散热效率和功率密度。　　PART01 三款新品核心参数解析：满足不同功率等级需求　　KM025065P1：650V/25mΩ高电流型号　　这款产品在25℃条件下连续漏极电流高达91A，脉冲电流能力达到261A，特别适合大电流应用场景。其低导通电阻(典型值25mΩ)确保在高电流下仍保持较低的导通损耗。　　该器件结壳热阻低至0.49°C/W，配合Cu-Clip技术，能够将芯片产生的热量快速传导至PCB板，保证在高功率运行时的稳定性。　　KM040120P1：1200V/40mΩ高压应用优选　　针对光伏逆变器、工业电机驱动等高压应用，KM040120P1提供了1200V的耐压能力，同时在15V驱动电压下导通电阻典型值为40mΩ。该产品静态栅源电压为-5/+15V，适用于严苛的工业环境。　　值得一提的是，这款产品特别优化了开关特性，在800V/33A测试条件下，开关能量表现优异(Eon典型值530μJ，Eoff典型值32.1μJ)，有效降低系统开关损耗。　　KM065065P1：650V/65mΩ性价比之选　　对于成本敏感型应用，KM065065P1提供了平衡的性能与价格。其导通电阻典型值为65mΩ，连续漏极电流38A，适合中小功率场景。该产品输入电容仅为977pF，栅极总电荷41nC，便于驱动电路设计。　　三款产品均支持-55℃至+175℃的工作结温范围，满足汽车电子、工业控制等严苛环境要求。　　PART02 PDFN8 * 8+Cu-Clip封装技术深度解读　　PDFN8 * 8+Cu-Clip封装是森国科为应对高功率密度挑战而推出的先进封装解决方案。与传统的引线键合技术不同，Cu-Clip(铜夹片)技术采用扁平铜桥连接芯片表面和外部引脚，有效降低封装电阻和热阻。　　这种封装结构的优势显而易见：更低的寄生参数、更好的热性能以及更高的电流承载能力。实测数据显示，与传统封装相比，Cu-Clip技术能够降低约35%的封装电阻，同时提升约20%的电流能力。　　热性能是功率器件的关键指标。PDFN8 * 8+Cu-Clip封装通过优化设计，实现了从芯片到PCB的高效热管理路径。三款新品的结壳热阻均在0.46-0.81°C/W范围内，大幅提升了整体散热能力。　　封装尺寸方面，PDFN8 * 8保持了8mm×8mm的紧凑外形，引脚间距为2.0mm典型值，厚度控制在0.95mm典型值。这种紧凑设计使得器件在空间受限的应用中具有明显优势。　　PART03 电气性能优势：低损耗与高可靠性兼备　　开关损耗是影响功率转换效率的关键因素。三款新品在开关特性方面表现出色：　　优化的开关速度:　　由于减少了栅极回路的寄生电感，新品的开关速度得到显著提升。以KM025065P1为例，其开启延迟时间仅12ns，上升时间28ns，下降时间22ns，支持更高频率的运行。　　低栅极电荷：　　KM065065P1的栅极总电荷仅为41nC，KM040120P1为84nC，降低驱动电路的设计难度和功率需求。　　优异的体二极管特性：　　内置的快恢复体二极管具有低反向恢复电荷(Qrr)，KM065065P1的Qrr典型值仅为67nC，减少反向恢复损耗。　　可靠性方面，所有产品均通过严格的可靠性测试，包括高温反偏(HTRB)、高低温循环等测试，确保在恶劣环境下长期稳定运行。　　PART04 应用场景全覆盖：从消费电子到工业驱动　　新能源汽车领域　　在车载充电机(OBC)和直流-直流转换器中，KM025065P1的高电流能力(91A连续电流)可直接替代多个并联的传统器件，简化系统设计。KM040120P1的1200V耐压适合800V电池系统应用。　　可再生能源系统　　光伏逆变器是SiC MOSFET的重要应用领域。KM040120P1的高耐压和低导通损耗可有效提升系统效率，配合其优异的开关特性，助力实现99%以上的转换效率。　　工业电源与电机驱动　　服务器电源、通信电源等场景中，KM065065P1的平衡性能和成本优势明显。其紧凑的封装尺寸有助于提升功率密度，满足现代数据中心对高密度电源的需求。　　消费类电子　　大功率快充电源适配器、便携式充电站等应用中，KM025065P1的高功率密度特性可在有限空间内实现更大的功率输出。　　PART05 设计与应用支持：助力客户快速量产　　针对不同的应用场景，森国科技术团队可提供定制化的解决方案，帮助客户优化系统性能，缩短产品上市时间。　　在驱动设计方面，由于三款产品的阈值电压(VGS(th))在2.7-3.2V范围内，建议驱动电压在15-18V之间，以确保充分导通的同时避免过驱动。　　散热设计建议　　虽然Cu-Clip封装具有良好的散热性能，但在大功率应用中仍需注意PCB的热设计。建议使用2盎司及以上铜厚的PCB，并合理设计散热过孔和散热焊盘。　　森国科此次推出的三款PDFN8 * 8+Cu-Clip封装SiC MOSFET产品，与先前发布的同封装SiC二极管共同构成了完整的功率半导体解决方案。这一产品组合体现了森国科在碳化硅技术领域的深厚积累和对市场需求的精准把握。　　随着新能源、电动汽车等行业的快速发展，对功率器件的功率密度、效率、可靠性要求不断提高。森国科通过持续的技术创新和产品优化，为行业客户提供更具竞争力的解决方案。　　未来，森国科将继续扩展Cu-Clip封装的碳化硅功率器件产品线，包括2200V及更高电压等级的器件，为全球绿色能源转型提供核心半导体支撑。　　以下是三款产品的规格：
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发布时间：2026-01-23 11:02 阅读量：1334 继续阅读>>
体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的<span style='color:red'>SiC MOSFET</span>
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体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

　　2025年10月16日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。　　与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V，而ROHM新产品则达到750V。因此，即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻，从而有助于降低开关损耗。产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品，并已于2025年9月开始量产(样品价格：5,500日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，可从Ameya360平台购买。另外，ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型，助力客户快速推进电路设计。　　<开发背景>　　在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中，功率呈日益提高的趋势，同时，与之相矛盾的小型化需求也与日俱增，这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源，其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求，ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)　　・消费电子：一般电源　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360　　开始销售时间：2025年9月起逐步发售　　<术语解说>　　*1) 图腾柱型PFC电路　　一种高效率的功率因数校正电路方式，通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET，可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
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发布时间：2025-10-20 11:02 阅读量：1205 继续阅读>>

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